射频/微波三大核心指标:频率、阻抗和功率。
功率衰减器(用于功率电平调整)
1、技术指标:工作频带、衰减量、功率容量、回波损耗
工作频带:指在给定的频率范围内使用衰减器,衰减器才能达到指标值。
衰减量:描述功率通过衰减器后功率的变小程度。
功率容量:衰减器承受功率的极限值。超过限值,衰减器会被烧毁。
回波损耗:回波损耗就是衰减器的驻波比,要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能的小。
******驻波比全称为电压驻波比,又名VSWR和SWR,指驻波波腹电压与波谷电压幅度之比,又称为驻波系数、驻波比。驻波比等于1时,表示馈线和天线的阻抗完全匹配,此时高频能量全部被天线辐射出去,没有能量的反射损耗;驻波比为无穷大时,表示全反射,能量完全没有辐射出去。
2、构成及主要用途
基本材料为电阻性材料,通常的电阻是衰减器的一种基本形式,由此形成的电阻衰减网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式,--是半导体小功率快调衰减器,如PIN管或FET单片集成衰减器;二是开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电子开关,也可以是射频继电器。
控制功率电平:在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制,获得最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳接收效果。在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围。
去耦元件:作为振荡器与负载之间的去耦合元件。
相对标准:作为比较功率电平的相对标准。
用于雷达抗干扰中的跳变衰减器:是一种衰减量能突变的可变衰减器,平时不引入衰减,遇到外界干扰时,突然加大衰减。
3、集总参数衰减器
利用电阻构成的T型或者PI型网络。
T型同阻式参数选择
PI型同阻式参数选择
T型异阻式参数选择
PI型异阻式参数选择
ADS:3dB衰减器仿真
4、分布参数衰减器
将电阻材料以一定的形式与传输线相结合,使电磁波的传播常数实部增加,实现对信号的衰减。按照工作原理可分为:吸收式、截止式、极化式、电调式等。按照结构特征分为可变衰减器和固定衰减器。按照功率大小分为高功率型和低功率型。衰减器可以由波导、同轴线或者微带线构成。
5、PIN二极管电调衰减器
主要特点是可以用小的直流控制大功率的微波信号,在微波控制应用十分广泛。
PIN二极管就是咋重掺杂P+、N+之间夹了一段较长的本征半导体所形成的半导体器件,中间I层长度为几到几十微米。
在零偏和反偏的情况下,PIN管均不能导通,呈现大电阻。正偏时,P+、N+载流子分别从两端向I区注入载流子,到达中间区域复合,呈现导通状态,偏压越大,载流子数目越多,正向电阻越小。
阻抗特性:频率较低时,正向导电,反向截止,具有整流特性。频率较高时,正半周来不及复合,负半周不能完全抽空,1区总有一定的载流子维持导通。小信号时1区的载流子少,大信号时1区的载流子多。所以,高频大信号时电阻大,小信号时电阻小。
PIN二极管的特性如下:直流反偏时,对微波信号呈现很高的阻抗,正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流(低频)功率控制微波信号的通断,用作开关、数字移相等。直流从零到正偏连续增加时,对微波信号呈现一个线性电阻,变化范围从几兆欧到几欧姆,用作可调衰减器。只有微波信号时,1区的信号积累与微波功率有关,微波功率越大,管子阻抗越大,用作微波限幅器。大功率低频整流器,I区的存在使得承受功率比普通整流管大的多。
单管电调衰减器:在微带线中打孔并接入一个PIN管,改变信号就可以改变输出功率的大小。
3dB定向耦合器型衰减器:匹配型衰减器,微波功率从1口输入,分两路从2、3口反射后从4口叠加输出。若2、3口匹配,则4口无输出。若2、3口全反射,则4口输出最大,同步调节两只管子偏流。可以改变4口输出功率。
吸收阵列式电调衰减器:利用多个PIN管合理布置可制成频带宽、动态范围大、驻波比小、功率容量大的阵列式电调衰减器。