flash代码_正点原子【STM32F407探索者】第三十九章FLASH模拟EEPROM实验

1)资料下载:点击资料即可下载

2)对正点原子Linux感兴趣的同学可以加群讨论&＃xff1a;935446741

3&＃xff09;关注正点原子公众号&＃xff0c;获取最新资料更新

http://weixin.qq.com/r/hEhUTLbEdesKrfIv9x2W (二维码自动识别)

STM32F4 本身没有自带 EEPROM&＃xff0c;但是 STM32F4 具有 IAP&＃xff08;在应用编程&＃xff09;功能&＃xff0c;所以我

们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用。本章&＃xff0c;我们将利用 STM32F4 内部的 FLASH 来实

现第三十章实验类似的效果&＃xff0c;不过这次我们是将数据直接存放在 STM32F4 内部&＃xff0c;而不是存放

在 W25Q128。本章分为如下几个部分&＃xff1a;

39.1 STM32F4 FLASH 简介

39.2 硬件设计

39.3 软件设计

39.4 下载验证

39.1 STM32F4 FLASH 简介

不同型号的 STM32F40xx/41xx&＃xff0c;其 FLASH 容量也有所不同&＃xff0c;最小的只有 128K 字节&＃xff0c;最

大的则达到了 1024K 字节。探索者 STM32F4 开发板选择的 STM32F407ZGT6 的 FLASH 容量

为 1024K 字节&＃xff0c;STM32F40xx/41xx 的闪存模块组织如图 39.1.1 所示&＃xff1a;

STM32F4 的闪存模块由&＃xff1a;主存储器、系统存储器、OPT 区域和选项字节等 4 部分组成。

主存储器&＃xff0c;该部分用来存放代码和数据常数&＃xff08;如 const 类型的数据&＃xff09;。分为 12 个扇区&＃xff0c;前 4

个扇区为 16KB 大小&＃xff0c;然后扇区 4是 64KB 大小&＃xff0c;扇区5~11 是 128K 大小&＃xff0c;不同容量的 STM32F4&＃xff0c;

拥有的扇区数不一样&＃xff0c;比如我们的 STM32F407ZGT6&＃xff0c;则拥有全部 12 个扇区。从上图可以看出

主存储器的起始地址就是 0X08000000&＃xff0c; B0、B1 都接 GND 的时候&＃xff0c;就是从 0X08000000 开始

运行代码的。

系统存储器&＃xff0c;这个主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码&＃xff0c;此代码是出厂的时候就固化

在 STM32F4 里面了&＃xff0c;专门来给主存储器下载代码的。当 B0 接 V3.3&＃xff0c;B1 接 GND 的时候&＃xff0c;从

该存储器启动&＃xff08;即进入串口下载模式&＃xff09;。

OTP 区域&＃xff0c;即一次性可编程区域&＃xff0c;共 528 字节&＃xff0c;被分成两个部分&＃xff0c;前面 512 字节&＃xff08;32 字节

为 1 块&＃xff0c;分成 16 块&＃xff09;&＃xff0c;可以用来存储一些用户数据&＃xff08;一次性的&＃xff0c;写完一次&＃xff0c;永远不可以擦除&＃xff01;&＃xff01;&＃xff09;&＃xff0c;

后面 16 字节&＃xff0c;用于锁定对应块。

选项字节&＃xff0c;用于配置读保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式

下的复位。

闪存存储器接口寄存器&＃xff0c;该部分用于控制闪存读写等&＃xff0c;是整个闪存模块的控制机构。

在执行闪存写操作时&＃xff0c;任何对闪存的读操作都会锁住总线&＃xff0c;在写操作完成后读操作才能正

确地进行&＃xff1b;既在进行写或擦除操作时&＃xff0c;不能进行代码或数据的读取操作。

闪存的读取

STM32F4 可通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块&＃xff0c;本章我们

主要讲解数据读写&＃xff0c;即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。

为了准确读取 Flash 数据&＃xff0c;

必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR)

中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时&＃xff0c;必须关闭预取缓冲器。Flash

等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系&＃xff0c;如表 39.1.1 所示&＃xff1a;

等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后&＃xff0c;CPU 时钟

频率为内部 16M RC 振荡器&＃xff0c;LATENCY 默认是 0&＃xff0c;即 1 个等待周期。供电电压&＃xff0c;我们一般是

3.3V&＃xff0c;所以&＃xff0c;在我们设置 168Mhz 频率作为 CPU 时钟之前&＃xff0c;必须先设置 LATENCY 为 5&＃xff0c;否则

FLASH 读写可能出错&＃xff0c;导致死机。

正常工作时&＃xff08;168Mhz&＃xff09;&＃xff0c;虽然 FLASH 需要 6 个 CPU 等待周期&＃xff0c;但是由于 STM32F4 具有

自适应实时存储器加速器(ART Accelerator)&＃xff0c;通过指令缓存存储器&＃xff0c;预取指令&＃xff0c;实现相当于 0

FLASH 等待的运行速度。关于自适应实时存储器加速器的详细介绍&＃xff0c;请大家参考《STM32F4xx

中文参考手册》3.4.2 节。

STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如&＃xff0c;我们要从地址 addr&＃xff0c;读取一个字&＃xff08;字节为 8

位&＃xff0c;半字为 16 位&＃xff0c;字为 32 位&＃xff09;&＃xff0c;可以通过如下的语句读取&＃xff1a;

data&＃61;*(vu32*)addr;

将 addr 强制转换为 vu32 指针&＃xff0c;然后取该指针所指向的地址的值&＃xff0c;即得到了 addr 地址的值。

类似的&＃xff0c;将上面的 vu32 改为 vu16&＃xff0c;即可读取指定地址的一个半字。相对 FLASH 读取来说&＃xff0c;

STM32F4 FLASH 的写就复杂一点了&＃xff0c;下面我们介绍 STM32F4 闪存的编程和擦除。

闪存的编程和擦除

执行任何 Flash 编程操作&＃xff08;擦除或编程&＃xff09;时&＃xff0c;CPU 时钟频率 (HCLK)不能低于 1 MHz。如

果在 Flash 操作期间发生器件复位&＃xff0c;无法保证 Flash 中的内容。

在对 STM32F4 的 Flash 执行写入或擦除操作期间&＃xff0c;任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻

塞。只有在完成编程操作后&＃xff0c;才能正确处理读操作。这意味着&＃xff0c;写/擦除操作进行期间不能从

Flash 中执行代码或数据获取操作。

STM32F4 的闪存编程由 6 个 32 位寄存器控制&＃xff0c;他们分别是&＃xff1a;

⚫ FLASH 访问控制寄存器(FLASH_ACR)

⚫ FLASH 秘钥寄存器(FLASH_KEYR)

⚫ FLASH 选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)

⚫ FLASH 状态寄存器(FLASH_SR)

⚫ FLASH 控制寄存器(FLASH_CR)

⚫ FLASH 选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)

STM32F4 复位后&＃xff0c;FLASH 编程操作是被保护的&＃xff0c;不能写入 FLASH_CR 寄存器&＃xff1b;通过写入

特定的序列&＃xff08;0X45670123 和 0XCDEF89AB&＃xff09;到 FLASH_KEYR 寄存器才可解除写保护&＃xff0c;只有

在写保护被解除后&＃xff0c;我们才能操作相关寄存器。

FLASH_CR 的解锁序列为&＃xff1a;

1&＃xff0c; 写 0X45670123 到 FLASH_KEYR

2&＃xff0c; 写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR

通过这两个步骤&＃xff0c;即可解锁 FLASH_CR&＃xff0c;如果写入错误&＃xff0c;那么 FLASH_CR 将被锁定&＃xff0c;直

到下次复位后才可以再次解锁。

STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置&＃xff0c;PSIZE 的设置必须和

电源电压匹配&＃xff0c;见表&＃xff1a;39.1.2&＃xff1a;

由于我们开发板用的电压是 3.3V&＃xff0c;所以 PSIZE 必须设置为 10&＃xff0c;即 32 位并行位数。擦除或

者编程&＃xff0c;都必须以 32 位为基础进行。

STM32F4 的 FLASH 在编程的时候&＃xff0c;也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的&＃xff08;也

就是其值必须是 0XFFFFFFFF&＃xff09;&＃xff0c;否则无法写入。STM32F4 的标准编程步骤如下&＃xff1a;

1&＃xff0c;检查 FLASH_SR 中的 BSY 位&＃xff0c;确保当前未执行任何 FLASH 操作。

2&＃xff0c;将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1&＃xff0c;激活 FLASH 编程。

3&＃xff0c;针对所需存储器地址&＃xff08;主存储器块或 OTP 区域内&＃xff09;执行数据写入操作&＃xff1a;

—并行位数为 x8 时按字节写入&＃xff08;PSIZE&＃61;00&＃xff09;

—并行位数为 x16 时按半字写入&＃xff08;PSIZE&＃61;01&＃xff09;

—并行位数为 x32 时按字写入&＃xff08;PSIZE&＃61;02&＃xff09;

—并行位数为 x64 时按双字写入&＃xff08;PSIZE&＃61;03&＃xff09;

4&＃xff0c;等待 BSY 位清零&＃xff0c;完成一次编程。

按以上四步操作&＃xff0c;就可以完成一次 FLASH 编程。不过有几点要注意&＃xff1a;1&＃xff0c;编程前&＃xff0c;要确保

要写如地址的 FLASH 已经擦除。2&＃xff0c;要先解锁&＃xff08;否则不能操作 FLASH_CR&＃xff09;。3&＃xff0c;编程操作对

OPT 区域也有效&＃xff0c;方法一模一样。

我们在 STM32F4 的 FLASH 编程的时候&＃xff0c;要先判断缩写地址是否被擦除了&＃xff0c;所以&＃xff0c;我们有

必要再介绍一下 STM32F4 的闪存擦除&＃xff0c;STM32F4 的闪存擦除分为两种&＃xff1a;扇区擦除和整片擦除。

扇区擦除步骤如下&＃xff1a;

1&＃xff0c;检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁&＃xff0c;如果没有则先解锁

2&＃xff0c;检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位&＃xff0c;确保当前未执行任何 FLASH 操作

3&＃xff0c;在 FLASH_CR 寄存器中&＃xff0c;将 SER 位置 1&＃xff0c;并从主存储块的 12 个扇区中选择要擦除的

扇区 (SNB)

4&＃xff0c;将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1&＃xff0c;触发擦除操作

5&＃xff0c;等待 BSY 位清零

经过以上五步&＃xff0c;就可以擦除某个扇区。本章&＃xff0c;我们只用到了 STM32F4 的扇区擦除功能&＃xff0c;

整片擦除功能我们在这里就不介绍了&＃xff0c;想了解的朋友可以看《STM32F4xx 中文参考手册》第

3.5.3 节。

通过以上了解&＃xff0c;我们基本上知道了 STM32F4 闪存的读写所要执行的步骤了&＃xff0c;接下来&＃xff0c;我

们看看与读写相关的寄存器说明。

第一个介绍的是 FLASH 访问控制寄存器&＃xff1a;FLASH_ACR。该寄存器各位描述如图 39.1.2

所示&＃xff1a;

这里&＃xff0c;我们重点看 LATENCY[2:0]这三个位&＃xff0c;这三个位&＃xff0c;必须根据我们 MCU 的工作电压

和频率&＃xff0c;来进行正确的设置&＃xff0c;否则&＃xff0c;可能死机&＃xff0c;设置规则见表 39.1.1。其他 DCEN、ICEN 和

PRFTEN 这三个位也比较重要&＃xff0c;为了达到最佳性能&＃xff0c;这三个位我们一般都设置为 1 即可。

第二个介绍的是 FLASH 秘钥寄存器&＃xff1a;FLASH_KEYR。该寄存器各位描述如图 39.1.3 所示&＃xff1a;

该寄存器主要用来解锁 FLASH_CR&＃xff0c;必须在该寄存器写入特定的序列&＃xff08;KEY1 和 KEY2&＃xff09;

解锁后&＃xff0c;才能对 FLASH_CR 寄存器进行写操作。

第三个要介绍的是 FLASH 控制寄存器&＃xff1a;FLASH_CR。该寄存器的各位描述如图 39.1.4 所

示&＃xff1a;

该寄存器我们本章只用到了它的 LOCK、STRT、PSIZE[1:0]、SNB[3:0]、SER 和 PG 等位。

LOCK 位&＃xff0c;该位用于指示 FLASH_CR 寄存器是否被锁住&＃xff0c;该位在检测到正确的解锁序列后&＃xff0c;

硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后&＃xff0c;在下次系统复位之前&＃xff0c;该位将不再改变。

STRT 位&＃xff0c;该位用于开始一次擦除操作。在该位写入 1 &＃xff0c;将执行一次擦除操作。

PSIZE[1:0]位&＃xff0c;用于设置编程宽度&＃xff0c;3.3V 时&＃xff0c;我们设置 PSIZE &＃61;2 即可。

SNB[3:0]位&＃xff0c;这 4 个位用于选择要擦除的扇区编号&＃xff0c;取值范围为 0~11。

SER 位&＃xff0c;该位用于选择扇区擦除操作&＃xff0c;在扇区擦除的时候&＃xff0c;需要将该位置 1。

PG 位&＃xff0c;该位用于选择编程操作&＃xff0c;在往 FLASH 写数据的时候&＃xff0c;该位需要置 1。

FLASH_CR 的其他位&＃xff0c;我们就不在这里介绍了&＃xff0c;请大家参考《STM32F4xx 中文参考手册》

第 3.8.5 节。

最后要介绍的是 FLASH 状态寄存器&＃xff1a;FLASH_SR。该寄存器各位描述如图 39.1.5 所示&＃xff1a;

该寄存器我们主要用了其 BSY 位&＃xff0c;当该位位 1 时&＃xff0c;表示正在执行 FLASH 操作。当该位为

0 时&＃xff0c;表示当前未执行任何 FLASH 操作。

关于 STM32F4 FLASH 的介绍&＃xff0c;我们就介绍到这。更详细的介绍&＃xff0c;请参考《STM32F4xx

中文参考手册》第三章。下面我们讲解使用 STM32F4 的官方固件库操作 FLASH 的几个常用函

数。这些函数和定义分布在源文件 stm32f4xx_hal_flash.c/stm32f4xx_hal_flash_ex.c 以及头文件

stm32f4xx_hal_flash.h/stm32f4xx_hal_flash_ex.h 中。

1&＃xff09;锁定解锁函数

上面讲解到在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁&＃xff0c;解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR

寄存器写入特定的序列&＃xff08;KEY1 和 KEY2&＃xff09;,HAL 库实现很简单&＃xff1a;

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁函数

同样的道理&＃xff0c;在对 FLASH 写操作完成之后&＃xff0c;我们要锁定 FLASH&＃xff0c;使用的 HAL 库函数是&＃xff1a;

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);//锁定函数

2&＃xff09;写操作函数

HAL 库提供了一个通用的 FLASH 写操作函数 HAL_FLASH_Program&＃xff0c;该函数声明如下&＃xff1a;

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address,

uint64_t Data);//FLASH 写操作函数

该函数有三个入口参数。入口参数 TypeProgram 用来区分要写入的数据类型&＃xff0c;取值为&＃xff1a;

FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE&＃xff08;字节&＃xff1a;8 位&＃xff09;&＃xff0c;FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD&＃xff08;半

字 &＃xff1a; 16

位 &＃xff09; &＃xff0c; FLASH_TYPEPROGRAM_WORD &＃xff08; 字 &＃xff1a; 32

位&＃xff09;和

FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD&＃xff08;双字&＃xff1a;64 位&＃xff09;&＃xff0c;用户根据写入数据类型选择即可。

第二个入口参数 Address 用来设置要写入数据的 FLASH 地址。第三个入口参数 Data 顾名思义

就是要写入的数据类型&＃xff0c;这个参数默认是 64 位的&＃xff0c;如果你要写入小于 64 位的数据比如 16 位&＃xff0c;

程序会进行类型转换。

3&＃xff09;擦除函数

HAL 库提供的擦除函数在 stm32f4xx_hal_flash_ex.c 中定义。和编程函数一样&＃xff0c;HAL 提供

了一个通用的基于小区擦除的函数 HAL_FLASHEx_Erase&＃xff0c;该函数声明如下&＃xff1a;

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit,

uint32_t *SectorError);

该函数有 2 个 入 口 参 数 &＃xff0c; 这 里 我 们 主 要 看 第 一 个 入 口 参 数 pEraseInit &＃xff0c;它是

FLASH_EraseInitTypeDef 结构体指针类型&＃xff0c;结构体 FLASH_EraseInitTypeDef 定义如下&＃xff1a;

typedef struct

{

uint32_t TypeErase;

//擦除类型

uint32_t Banks;

//擦除的 Bank 编号

uint32_t Sector;

//擦除的 sector 号

uint32_t NbSectors;

//擦除的 sector 数量

uint32_t VoltageRange;

//电压范围

} FLASH_EraseInitTypeDef;

成员变量 TypeErase 用来设置擦除类型&＃xff0c;是 Sector 擦除还是 BANK 级别的批量擦除&＃xff0c;取值

为 FLASH_TYPEERASE_SECTORS 或者 FLASH_TYPEERASE_MASSERASE&＃xff0c;这个比较好理

解 &＃xff0c; 如 果 是 一 次 擦 除 一 个 Bank 下 面 的 所 有 Sector &＃xff0c; 那 么 需 要 选 择

FLASH_TYPEERASE_MASSERASE。成员变量 Banks 用来设置要擦除的 Bank 编号&＃xff0c;这个只有

设置为批量擦除的时候才有效。成员变量 Sector 用来设置要擦除的 Sector 编号。成员变量

NbSectors 用来设置要擦除的 Sector 数量。成员变量 VoltageRange 用来设置电压范围&＃xff0c;一共有

四个值可选 FLASH_VOLTAGE_RANGE_1~ FLASH_VOLTAGE_RANGE_4&＃xff0c;分别对应表 41.1.2

的电压范围&＃xff0c;这里我们使用的是 3.3V&＃xff0c;所以选择 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3 即可。

扇区擦除的实例代码如下&＃xff1a;

FlashEraseInit.TypeErase&＃61;FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型&＃xff0c;扇区擦除

FlashEraseInit.Sector&＃61;3;

//擦除的扇区号

FlashEraseInit.NbSectors&＃61;1; //一次只擦除一个扇区

FlashEraseInit.VoltageRange&＃61;FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围 2.7~3.6V

HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError);//进行扇区擦除操作

4&＃xff09;等待操作完成函数

在执行闪存写操作时&＃xff0c;任何对闪存的读操作都会锁住总线&＃xff0c;在写操作完成后读操作才能正

确地进行&＃xff1b;既在进行写或擦除操作时&＃xff0c;不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前&＃xff0c;

我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。HAL 库函数为&＃xff1a;

HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

该函数在 HAL 库中很多地方用到&＃xff0c;比如擦除函数 HAL_FLASHEx_Erase 中在对 FLASH 进

行擦除操作后会调用该函数&＃xff0c;等待擦除操作完成。

5&＃xff09;读 FLASH 特定地址数据函数

有写就必定有读&＃xff0c;而读取 FLASH 指定地址的数据的函数固件库并没有给出来&＃xff0c;这里我们

提供从指定地址一个读取一个字的函数&＃xff1a;

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)

{

return *(vu32*)faddr;

}

39.2 硬件设计

本章实验功能简介&＃xff1a;开机的时候先显示一些提示信息&＃xff0c;然后在主循环里面检测两个按键&＃xff0c;

其中 1 个按键&＃xff08;KEY1&＃xff09;用来执行写入 FLASH 的操作&＃xff0c;另外一个按键&＃xff08;KEY0&＃xff09;用来执行读出

操作&＃xff0c;在 TFTLCD 模块上显示相关信息。同时用 DS0 提示程序正在运行。

所要用到的硬件资源如下&＃xff1a;

1&＃xff09; 指示灯 DS0

2&＃xff09; KEY1 和 KEY0 按键

3&＃xff09; TFTLCD 模块

4&＃xff09; STM32F4 内部 FLASH

本章需要用到的资源和电路连接&＃xff0c;在之前已经全部有介绍过了&＃xff0c;接下来我们直接开始软件

设计。

39.3 软件设计

打开我们的 FLASH 模拟 EEPROM 实验工程&＃xff0c;可以看到我们添加了两个文件 stmflash.c 和

stmflash.h。同时我们还引入了 HAL 库 flash 操作文件 stm32f4xx_hal_flash.c 和头文件

stm32f4xx_hal_flash.h。

打开 stmflash.c 文件&＃xff0c;代码如下&＃xff1a;

//读取指定地址的半字(16 位数据)

//faddr:读地址

//返回值:对应数据.

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)

{

return *(vu32*)faddr;

}

//获取某个地址所在的 flash 扇区

//addr:flash 地址

//返回值:0~11,即 addr 所在的扇区

uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)

{

if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

else if(addr

return FLASH_Sector_11;

}

//从指定地址开始写入指定长度的数据

//特别注意:因为 STM32F4 的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数

// 写地址如果非 0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以

// 写非 0XFF 的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里

// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.

//该函数对 OTP 区域也有效!可以用来写 OTP 区!

//OTP 区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F

//WriteAddr:起始地址(此地址必须为 4 的倍数!!)

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:字(32 位)数(就是要写入的 32 位数据的个数.)

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)

{

FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;

HAL_StatusTypeDef FlashStatus&＃61;HAL_OK;

u32 SectorError&＃61;0;

u32 addrx&＃61;0;

u32 endaddr&＃61;0;

if(WriteAddr

//非法地址

HAL_FLASH_Unlock();

//解锁

addrx&＃61;WriteAddr;

//写入的起始地址

endaddr&＃61;WriteAddr&＃43;NumToWrite*4;

//写入的结束地址

if(addrx<0X1FFF0000)

{

while(addrx

//扫清一切障碍.(对非 FFFFFFFF 的地方,先擦除)

{

if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!&＃61;0XFFFFFFFF)

//有非 0XFFFFFFFF 的地方,要擦除这个扇区

{

FlashEraseInit.TypeErase&＃61;FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

//擦除类型&＃xff0c;扇区擦除

FlashEraseInit.Sector&＃61;STMFLASH_GetFlashSector(addrx);

//要擦除的扇区

FlashEraseInit.NbSectors&＃61;1; //一次只擦除一个扇区

FlashEraseInit.VoltageRange&＃61;FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;

//电压范围&＃xff0c;VCC&＃61;2.7~3.6V 之间!!

if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!&＃61;HAL_OK)

{

break;//发生错误了

}

}else addrx&＃43;&＃61;4;

FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);

//等待上次操作完成

}

}

FlashStatus&＃61;FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成

if(FlashStatus&＃61;&＃61;HAL_OK)

{

while(WriteAddr

{

if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,

*pBuffer)!&＃61;HAL_OK)//写入数据

{

break;

//写入异常

}

WriteAddr&＃43;&＃61;4;

pBuffer&＃43;&＃43;;

}

}

HAL_FLASH_Lock(); //上锁

}

//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToRead:字(32 位)数

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)

{

u32 i;

for(i&＃61;0;i

{

pBuffer[i]&＃61;STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取 4 个字节.

ReadAddr&＃43;&＃61;4;//偏移 4 个字节.

}

}

//测试用///

//WriteAddr:起始地址

//WriteData:要写入的数据

void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData)

{

STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字

}

该部分代码&＃xff0c;我们重点介绍一下 STMFLASH_Write 函数&＃xff0c;该函数用于在 STM32F4 的指定

地址写入指定长度的数据&＃xff0c;该函数的实现基本类似第 30 章的 W25QXX_Flash_Write 函数&＃xff0c;不

过该函数使用的时候&＃xff0c;有几个要注意要注意&＃xff1a;

1&＃xff0c; 写入地址必须是用户代码区以外的地址。

2&＃xff0c; 写入地址必须是 4 的倍数。

第 1 点比较好理解&＃xff0c;如果把用户代码给卡擦了&＃xff0c;可想而知你运行的程序可能就被废了&＃xff0c;从

而很可能出现死机的情况。不过&＃xff0c;因为 STM32F4 的扇区都比较大&＃xff08;最少 16K&＃xff0c;大的 128K&＃xff09;&＃xff0c;

所以本函数不缓存要擦除的扇区内容&＃xff0c;也就是如果要擦除&＃xff0c;那么就是整个扇区擦除&＃xff0c;所以建议

大家使用该函数的时候&＃xff0c;写入地址定位到用户代码占用扇区以外的扇区&＃xff0c;比较保险。

第 2 点则是每次必须写入 32 位&＃xff0c;即 4 字节&＃xff0c;所以地址必须是 4 的倍数。

关于 STMFLASH_GetFlashSector 函数&＃xff0c;这个就比较好理解了&＃xff0c;根据地址确定其 sector 编号。

其他函数我们就不做介绍了。

对 于 头 文 件 stmflash.h &＃xff0c; 这 里 面 有 一 点 提 一 下 &＃xff0c; 就 是 我 们 定 义 了 从

ADDR_FLASH_SECTOR_0~ ADDR_FLASH_SECTOR_11 等一系列宏定义标识符&＃xff0c;实际上这些

标识符的值就是对应的 sector 的起始地址值&＃xff0c;相信也比较好理解。

最后我们打开 main.c 文件&＃xff0c;代码如下&＃xff1a;

//要写入到 STM32 FLASH 的字符串数组

const u8 TEXT_Buffer[]&＃61;{"STM32 FLASH TEST"};

#define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer)

//数组长度

#define SIZE TEXT_LENTH/4&＃43;((TEXT_LENTH%4)?1:0)

#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08010000

//设置 FLASH 保存地址(必须为 4 的倍数&＃xff0c;且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.

//否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.

int main(void)

{

u8 key&＃61;0;u16 i&＃61;0;u8 datatemp[SIZE];

HAL_Init();

//初始化 HAL 库

Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);

//设置时钟,168Mhz

delay_init(168);

//初始化延时函数

uart_init(115200);

//初始化 USART

usmart_dev.init(84);

//初始化 USMART

LED_Init();

//初始化 LED

KEY_Init();

//初始化 KEY

LCD_Init();

//初始化 LCD

POINT_COLOR&＃61;RED;//设置字体为红色

LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4");

LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");

LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM&＃64;ALIENTEK");

LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/9");

LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write KEY0:Read");

while(1)

{

key&＃61;KEY_Scan(0);

if(key&＃61;&＃61;KEY1_PRES) //KEY1 按下,写入 STM32 FLASH

{

LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");

STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成

}

if(key&＃61;&＃61;KEY0_PRES) //KEY0 按下,读取字符串并显示

{

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");

STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE);

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is: ");//提示传送完成

LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串

}

i&＃43;&＃43;; delay_ms(10);

if(i&＃61;&＃61;20)

{

LED0&＃61;!LED0;//提示系统正在运行

i&＃61;0;

}

}

}

至此&＃xff0c;我们的软件设计部分就结束了。

39.4 下载验证

在代码编译成功之后&＃xff0c;我们通过下载代码到 ALIENTEK 探索者 STM32F4 开发板上&＃xff0c;伴随

DS0 的不停闪烁&＃xff0c;提示程序在运行&＃xff0c;通过先按 KEY1 按键写入数据&＃xff0c;然后按 KEY0 读取数据&＃xff0c;

得到如图 39.4.1 所示&＃xff1a;

伴随 DS0 的不停闪烁&＃xff0c;提示程序在运行。本章的测试&＃xff0c;我们还可以借助 USMART&＃xff0c;调用&＃xff1a; TMFLASH_ReadWord 和 Test_Write 函数&＃xff0c;大家可以测试下 OTP 区域的读写&＃xff0c;注意&＃xff1a;OTP 区域&＃xff0c; 最后 16 字节&＃xff0c;不要乱写&＃xff01;&＃xff01;是用于锁定 OTP 数据块的的&＃xff01;&＃xff01;

另外&＃xff0c;OTP 的一次性可编程&＃xff0c;也并不像字面意思那样&＃xff0c;只能写一次。而是要理解成&＃xff1a;只能写 0&＃xff0c;不能写 1。举个例子&＃xff0c;你在地址&＃xff1a;0X1FFF7808&＃xff0c;第一次写入 0X12345678。读出来&＃xff0c;发现 是对的&＃xff0c;和你写入的一样。而当你在这个地址&＃xff0c;再次写入&＃xff1a;0X12345673 的时候&＃xff0c;再读出来&＃xff0c;变 成了&＃xff1a;0X12345670&＃xff0c;不是第一次写入的值&＃xff0c;也不是第二次写入的值&＃xff0c;而是两次写入值相与的值&＃xff0c; 说明第二次也发生了写操作。所以&＃xff0c;要理解成&＃xff1a;只能写 0&＃xff0c;不能写 1。