BJT的IV特性曲线

(1) 输入特性

iB&＃61;f(vBE)∣vCE&＃61;常数i_B &＃61; f(v_{BE})|_{v_{CE}&＃61;常数} iB​&＃61;f(vBE​)∣vCE​&＃61;常数​

vBEv_{BE}vBE​逐渐增大&＃xff0c;发射结正偏&＃xff0c;导通&＃xff0c;产生较大电流。
vCEv_{CE}vCE​逐渐增大&＃xff0c;使集电结从正偏到反偏&＃xff0c;收集电子能力增强&＃xff0c;夺走了本来iBi_BiB​的电流&＃xff0c;iBi_BiB​减小。
当vCEv_{CE}vCE​增大到一定程度&＃xff0c;收集电子的能力增加很小&＃xff0c;对iBi_BiB​影响也渐小。所以认为vCEv_{CE}vCE​>1V时的曲线重合。

(2) 输出特性

• 放大区
  发射结正偏&＃xff0c;集电结反偏。发射结产生的载流子越多&＃xff0c;iCi_CiC​越大。

• 饱和区
  发射结正偏&＃xff0c;集电极正偏。收集载流子能力小&＃xff0c;即使iBi_BiB​增加&＃xff0c;iCi_CiC​也增加不多。

• 截止区
  发射结反偏。反射出来的电子很少&＃xff0c;无论集电结如何变化&＃xff0c;都不会产生电流。

(1) 输入特性

(2) 输出特性

(1) 输入特性

(2) 输出特性

(1) 对输入特性

(2) 对输出特性