mos控制灯pwm_详解MOS管驱动电路的特别应用，这里有你想知道的一切

　　1、低压应用

　　当使用5V电源&＃xff0c;这时候如果使用传统的图腾柱结构&＃xff0c;由于三极管的be有0.7V左右的压降&＃xff0c;导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候&＃xff0c;我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

　　同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

　　2、宽电压应用

　　输入电压并不是一个固定值&＃xff0c;它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

　　为了让MOS管在高gate电压下安全&＃xff0c;很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下&＃xff0c;当提供的驱动电压超过稳压管的电压&＃xff0c;就会引起较大的静态功耗。

　　同时&＃xff0c;如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压&＃xff0c;就会出现输入电压比较高的时候&＃xff0c;MOS管工作良好&＃xff0c;而输入电压降低的时候gate电压不足&＃xff0c;引起导通不够彻底&＃xff0c;从而增加功耗。

　　3、双电压应用

　　在一些控制电路中&＃xff0c;逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压&＃xff0c;而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

　　这就提出一个要求&＃xff0c;需要使用一个电路&＃xff0c;让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管&＃xff0c;同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

　　在这三种情况下&＃xff0c;图腾柱结构无法满足输出要求&＃xff0c;而很多现成的MOS管驱动IC&＃xff0c;似乎也没有包含gate电压限制的结构。

　　这里只针对NMOS管驱动电路做一个简单分析&＃xff1a;

　　Vl和Vh分别是低端和高端的电源&＃xff0c;两个电压可以是相同的&＃xff0c;但是Vl不应该超过Vh。

　　Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱&＃xff0c;用来实现隔离&＃xff0c;同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

　　R2和R3提供了PWM电压基准&＃xff0c;通过改变这个基准&＃xff0c;可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

　　Q3和Q4用来提供驱动电流&＃xff0c;由于导通的时候&＃xff0c;Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降&＃xff0c;这个压降通常只有0.3V左右&＃xff0c;大大低于0.7V的Vce。

　　R5和R6是反馈电阻&＃xff0c;用于对gate电压进行采样&＃xff0c;采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈&＃xff0c;从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。

　　最后&＃xff0c;R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制&＃xff0c;R4提供了对MOS管的gate电流限制&＃xff0c;也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。