中国存储器“3+1”版图初现

武汉存储器基地项目启动&＃xff0c;与联电合作的晋华集成电路项目落户福建泉州晋江市&＃xff0c;还有明确要做存储器的合肥市和紫光。三个地方加一个企业牵头的“3&＃43;1”存储器版图已初现端倪。

此前&＃xff0c;中国还未有任何一家企业在存储器主流市场中占据过一席之地。面对一个动辄上百亿元巨额投资、由寡头垄断的产业&＃xff0c;让人不由得思考&＃xff1a;这种多方并进、多点齐投的发展模式是不是合理?各方选择的路径显然都不是坦途&＃xff0c;哪条才能最后走进存储器的明天?

新进入者&＃xff0c;要创造不可能的可能

存储器是一个严格按照摩尔定律前进、追求低成本的规模经济产业&＃xff0c;想做起来太难。在这个寡头割据的市场中&＃xff0c;完全没有给新进入者留下太多发展的余地。在过去的年月里&＃xff0c;能够听到的只有不断退出的失败悲歌。

“现实世界中应当不会有新加入者了&＃xff0c;因为它无法实现规模经济&＃xff0c;不可能加入进来持续亏钱。”Bernstein分析师Mark Newman告诉《中国电子报》记者。

他指出&＃xff0c;新进入者通常在起步时就要落后同行业至少3年&＃xff0c;在供需平衡的情况下&＃xff0c;新进入者一年可能要面临60%左右的亏损;而在产能过剩的情况下&＃xff0c;新进入者的亏损很可能达到百分之几百。

参考过去十几年的经验&＃xff0c;这个市场并不是没有新进入者。

中国台湾地区曾在2001年至2010年间以400亿美元的大手笔投资大幅挺进存储器市场&＃xff0c;最多的时候能够占据存储器总市场份额的20%。但最终结果惨淡&＃xff0c;市场并不欢迎这个新玩家&＃xff0c;目前中国台湾存储器只剩下4%的市场份额。

这一次&＃xff0c;决心晋身存储器玩家的是中国大陆。

从2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》特别指出要发展新兴存储等关键芯片产业&＃xff0c;到工信部印发的贯彻落实《国务院关于积极推进“互联网&＃43;”行动的指导意见》行动计划(2015-2018年)中提出到2018年在海量存储系统领域取得重大突破&＃xff0c;毫无疑问&＃xff0c;面对常年“缺芯”的窘境&＃xff0c;市场总额超过800亿美元、却几乎100%依赖进口的存储器已经上升到国家意志的高度&＃xff0c;发展刻不容缓。

中科院微电子所研究员霍宗亮告诉《中国电子报》记者&＃xff0c;对新进入的中国玩家&＃xff0c;想切入DRAM和NAND闪存领域存有一线可能。DRAM制程工艺已快遇到物理上的极限&＃xff0c;更新换代越来越慢&＃xff0c;技术难度越来越大&＃xff0c;在这样的情况下&＃xff0c;国外厂家有可能跟中国新进入者谈共同研发或技术转移&＃xff0c;但利润很薄&＃xff0c;前景堪忧。

他指出&＃xff0c;闪存则开始走进3D NAND新兴技术&＃xff0c;该技术可以向下延展到更多的技术节点&＃xff0c;比如32层、48层、64层、96层……在设备成本差别不大的情况下&＃xff0c;中国新进入者只要完成前期的技术开发&＃xff0c;后续的进展有可能加速。

其实中国大陆早已成为国际存储器大厂争相投资的热土。

目前在中国做存储器的版图中还有原本就已布局西安的三星、扎根无锡的SK海力士和已确定将大连工厂从做逻辑IC转为做3D Xpoint存储器的英特尔等国际主流玩家。

据赛迪智库集成电路研究所所长霍雨涛判断&＃xff0c;SK海力士无锡工厂的DRAM产能可以占其DRAM总产能的43%。三星西安工厂的NAND Flash产能接近其NAND Flash总产能的22%。

市场就在这里&＃xff0c;需求就在这里。不仅仅只是国际厂商意识到了这一点&＃xff0c;中国显然也并不缺乏勇于吃螃蟹的人。

短短不到2年的时间里&＃xff0c;存储器项目在中国大陆各地开花。参与这场追击战的除原本曾在Nor闪存领域耕耘10年的武汉新芯外&＃xff0c;还有决心在集成电路产业干一番大事的安徽合肥、福建晋江市政府&＃xff0c;以及凭借强有力的资本运作手段完成多个重大项目的紫光集团。

至此&＃xff0c;中国大陆“3&＃43;1”存储器版图初定。

是激进冒险?还是打破了一潭死寂?

“紫光集团计划在未来5年投资300亿美元在存储器产业上。”紫光集团董事长赵伟国告诉《中国电子报》记者。他表示&＃xff0c;除了紫光国芯计划增发的800亿元中&＃xff0c;不少于600亿元将投资到存储器制造上外&＃xff0c;紫光计划再筹集1400亿元投入到存储器产业。

根据公开资料&＃xff0c;福建省晋江市与联电技术合作的晋华存储器集成电路生产线项目&＃xff0c;一期投资额也有53亿美元。

事实上&＃xff0c;作为规模经济的典型代表&＃xff0c;存储器产业是众所周知的投资大、周期长&＃xff0c;要建一条20nm以下工艺的生产线&＃xff0c;至少要投入70亿美元。以目前已启动的武汉存储器基地为例&＃xff0c;其总投资金额将达240亿美元。

回顾从前&＃xff0c;在国家集成电路产业投资基金成立前&＃xff0c;在紫光屡屡豪迈地对国际企业发出并购邀约前&＃xff0c;中国半导体业内的主旋律还是缺钱&＃xff0c;也并没有一家厂商有勇气以如此巨额投资做IDM模式的存储器。

业界也因此出现了质疑的声音&＃xff1a;这么庞大的资金投入会不会被浪费?对团队和人才会不会出现不必要的内部争夺?会不会出现严重的同质化问题?

半导体行业专家莫大康向记者表示&＃xff0c;存储器行业风险太大&＃xff0c;需要尽量谨慎。他不太赞成各地开花的做法&＃xff0c;但认为只支持一家上马的风险也很大。

“从战略层面来讲&＃xff0c;举全国之力做一件事&＃xff0c;毫无疑问是正确的。在自身各方面条件有限的情况下&＃xff0c;集中力量才能想办法做成点儿大事。”清华大学微电子所所长魏少军对《中国电子报》记者表示。

他同时也指出&＃xff0c;在实际情况下&＃xff0c;存储器也是完全市场化竞争的产品&＃xff0c;企业在做之前必然也会判断重点、估算得失&＃xff0c;不会盲目投资。

必须承认的一点是&＃xff0c;各地选择的市场切入点、商业模式不尽相同&＃xff0c;其积极性确实打破了全球存储器格局的一潭死寂。当事人们也都表示出了极大的信心。

赵伟国的论调是“紫光集团绝不会打无把握之仗”。武汉新芯执行副总裁陈少民则表示&＃xff1a;“有信心在2018年存储器基地项目量产时&＃xff0c;推出具有市场竞争力的产品。”

合肥也拿出了实干家的态度&＃xff0c;确保项目能够成功。合肥市有关负责同志告诉《中国电子报》记者&＃xff0c;合肥运用过去运作大项目的经验&＃xff0c;正在积极务实推进&＃xff0c;寻求最佳方案。

采取何种路径&＃xff0c;是一场关乎眼光和魄力的押注

“为什么武汉新芯选择从3D NAND入手?”当莫大康在校友会上偶遇武汉新芯资深副总裁程卫华时&＃xff0c;他自然不会放弃这个直抒困惑的机会。

程卫华为莫大康算了一笔极其具备逻辑性的帐。

为吃满产能&＃xff0c;建12英寸厂要么做逻辑芯片&＃xff0c;要么做存储器。按照2018年投产的计划&＃xff0c;如果做28nm逻辑芯片&＃xff0c;最强大的对手是2011年便迈入28nm制程的台积电&＃xff0c;届时其设备折旧已全部完成&＃xff0c;即使武汉新芯可以做到同等工艺水平&＃xff0c;但折旧导致成本高&＃xff0c;产品仍然没有竞争力。

而做3D NAND闪存&＃xff0c;最强大的对手是2014年底最先进入大规模量产的三星&＃xff0c;起步时间差不太多&＃xff0c;到2018年时三星仍在设备折旧期&＃xff0c;如果产品技术水平相符&＃xff0c;成本上的竞争力差距不会过大&＃xff0c;有做的可能。

其实&＃xff0c;武汉新芯用240亿美元赌的就是这样的可能性。

武汉新芯于2015年宣布与Spasion合作开发、生产3D NAND闪存技术&＃xff0c;与中科院微电子研究所也有紧密合作。《中国电子报》记者此前采访陈少民时&＃xff0c;他曾透露&＃xff0c;2015年武汉新芯已有9层结构的三维存储器芯片下线&＃xff0c;到2018年量产时&＃xff0c;会将与领先公司技术差距缩小至一代半以内。

事实上&＃xff0c;在这个血腥厮杀的行业&＃xff0c;对眼光和魄力的豪赌屡见不鲜。同样靠韩国政府大力支持走向强盛的三星就曾利用“逆周期投资”的豪赌成为DRAM存储器产业最大的受益者。

DRAM存储器市场每隔4~5年会完成一个周期性兴衰。在周期低谷时&＃xff0c;存储器产能过剩&＃xff0c;价格暴跌&＃xff0c;从业者通常采取缩减投资来止损。

三星则反其道而行之&＃xff0c;利用韩国政府和民间资本支持&＃xff0c;在周期低谷时进行“逆周期投资”&＃xff0c;使竞争对手亏损加剧&＃xff0c;甚至拖垮了当时行业排名前五的奇梦达和尔必达。

当然&＃xff0c;三星豪赌的背后是精确的计算和不计后果的魄力。而在中国这新一轮的存储器兴建浪潮中&＃xff0c;各企业成功与否的关键也在于他们的选择。

据记者从各方所得消息&＃xff0c;紫光会同时进入DRAM和NAND闪存领域&＃xff0c;具体计划还未可知;合肥将主要针对主流DRAM市场&＃xff0c;不排除未来进入闪存的可能性;晋华则要做DRAM利基市场。

“主流DRAM产品市场竞争太过激烈&＃xff0c;利基市场可能是一个方向。”集邦科技DRAM首席分析师郭祚荣向记者指出。他透露&＃xff0c;晋华项目的技术委托方联电已购买了20nm与30nm工艺的设备&＃xff0c;联电本身并不具备专利和技术&＃xff0c;但中国台湾做利基型内存的公司不少&＃xff0c;联电可以找到合作伙伴和团队共同开展研发工作。

虽然目前利基市场占DRAM总市场份额不高于5%&＃xff0c;但郭祚荣表示&＃xff0c;这已足够养活晋华的工厂&＃xff0c;让其生存下来。此外&＃xff0c;随着未来汽车电子和IOT(万物互联)需求量的爆发&＃xff0c;也可能给利基市场带来机遇。

关乎生存&＃xff0c;跑一场至少5年的马拉松

归根究底&＃xff0c;考量中国存储器新晋企业的最终指标是生存。

“在半导体行业&＃xff0c;靠钱不能解决所有问题&＃xff0c;必须解决企业造血问题&＃xff0c;这样企业才有竞争力&＃xff0c;才能变得更强。”莫大康说。

但生存并不是一件简单的事情。

Mark Newman表示&＃xff0c;想要在现有市场上存活要么必须有技术授权&＃xff0c;有先进的技术;要么必须真正进入特别利基的市场&＃xff0c;产品有独特的创新点&＃xff0c;没有同质化现象。

魏少军也认为&＃xff0c;虽然目前中国各家的选择或多或少都有所不同&＃xff0c;但技术来源、产权壁垒、人才团队、资金落实都是想要做存储器的企业都必须要解决的问题。

他主张通过寻求合作伙伴的方式&＃xff0c;先合作再学习、创新&＃xff0c;最终拥有自有技术。“尤其是如果想比较快地进入市场&＃xff0c;最好是有愿意合作的合作者&＃xff0c;进行专利技术交叉许可和单项许可。”魏少军说。

事实上&＃xff0c;即使找到了好的合作伙伴和技术来源、聚集起了足够的优秀团队、投入了巨大的资金和资源&＃xff0c;以最乐观的想法估计&＃xff0c;也最少需要5年时间&＃xff0c;这些公司才有可能进入到现有的存储器大格局中去&＃xff0c;但想要实现盈利仍然非常难。

大可以算一算从1999年到2014年期间&＃xff0c;三星、SK海力士和美光的盈利情况。在这15年间&＃xff0c;利润大头基本被三星分走&＃xff0c;共赚了近696亿美元&＃xff0c;SK海力士共赚了27亿美元&＃xff0c;美光仅赚了8亿美元。

巨头尚且如此&＃xff0c;更何况想要去从中分成的新进入者呢?更重要的一点是&＃xff0c;这个靠成本驱动的存储器产业需要长期坚定不移的持续投资。

“存储器需要持续投入&＃xff0c;如果真的想要产线见效&＃xff0c;至少要连续投15年以上&＃xff0c;至少要做好10年不盈利的准备。”霍雨涛告诉记者。

他向记者指出&＃xff0c;韩国企业能够抓住存储器发展机遇&＃xff0c;一跃成为龙头&＃xff0c;最重要的就是其坚持不懈的意识&＃xff0c;能够对存储器行业进行长期持续、不计代价的投入。

即使是企业严重亏损的时期&＃xff0c;这种投入也并没有停止。据不完全统计&＃xff0c;在20世纪初&＃xff0c;仅三星一家公司便得到了韩国政府共计87亿美元的税收减免。

不过&＃xff0c;在1999年负债率仍高达166%的三星&＃xff0c;即便拥有清晰的技术路线图&＃xff0c;还是用了10年时间才实现了存储器业务的盈亏平衡&＃xff0c;坐上了存储器产业的第一把交易。

对中国的存储器行业来说&＃xff0c;才刚刚站在一场马拉松的起跑点上。不跑&＃xff0c;永远无法在半导体产业中占据一席之地;而只要开跑就不能停歇&＃xff0c;也必将留下艰辛和汗水。

本文转自d1net&＃xff08;转载&＃xff09;