WNM2020N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM

说明

WNM2020 N沟道&＃xff0c;20V&＃xff0c;0.90A&＃xff0c;小信号MOSFET
WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计&＃xff0c;提供卓越的RDS&＃xff08;ON&＃xff09;
低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换&＃xff0c;电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤

特征

FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
优异的导通电阻
极低的阈值电压
小包装SOT-23

应用

DC-DC转换器电路
小信号开关
负载开关
等级转换

电子特性

&＃xff08;Ta &＃61; 25oC&＃xff0c;除非另有说明&＃xff09;
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压BVDSS VGS &＃61; 0 V&＃xff0c;ID &＃61; 250uA 20 V.
零栅极电压漏极电流IDSS VDS &＃61; 16 V&＃xff0c;VGS
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS &＃61; 0 V&＃xff0c;VGS &＃61;±5V±5 uA
关于特征
栅极阈值电压VGS&＃xff08;TH&＃xff09;VGS &＃61; VDS&＃xff0c;ID &＃61; 250uA 0.45 0.58 0.85 V.
VGS &＃61; 4.5V&＃xff0c;ID &＃61; 0.55A
漏极 - 源极导通电阻RDS&＃xff08;on&＃xff09;VGS &＃61; 2.5V&＃xff0c;ID &＃61; 0.45A
VGS &＃61; 1.8V&＃xff0c;ID &＃61; 0.35A
米听
正向跨导gFS VDS &＃61; 5 V&＃xff0c;ID &＃61; 0.55A 2.0 S.
收费&＃xff0c;电容和门阻力
输入电容CISS 50
输出电容COSS 13
反向传输电容CRSS
VGS &＃61; 0 V&＃xff0c;f &＃61; 100 kHz&＃xff0c;VDS &＃61;
10 V
8pF的
总栅极电荷QG&＃xff08;TOT&＃xff09;1.15
阈值栅极电荷QG&＃xff08;TH&＃xff09;0.06
栅极 - 源极电荷QGS 0.15
栅极 - 漏极电荷QGD
VGS &＃61; 4.5 V&＃xff0c;VDS &＃61; 10 V&＃xff0c;
ID &＃61; 0.55A
0.23
NC
切换特性
开启延迟时间td&＃xff08;ON&＃xff09;22
上升时间tr 80
关闭延迟时间td&＃xff08;OFF&＃xff09;700
下降时间tf 380
NS
身体二极管特征
正向电压VSD VGS &＃61; 0 V&＃xff0c;IS &＃61; 0.35A 0.5
VDD &＃61; 10V&＃xff0c;VGS &＃61; 4.5V&＃xff0c;
ID &＃61; 0.55A&＃xff0c;RG &＃61;6鈩鈩&＃61; 0V 1 uA
220 310
260 360
320 460
0.7 1.5 V