是否使用写合并缓冲区对Intel上的WB内存区域进行常规写操作？

写合并缓冲区一直是Intel CPU的功能，至少可以追溯到Pentium 4甚至更早。基本思想是这些高速缓存行大小的缓冲区将写操作收集到同一高速缓存行中，因此可以将它们作为一个单元进行处理。作为它们对软件性能的影响的一个示例，如果您不编写完整的缓存行，则可能会遇到性能下降的情况。

例如，在《Intel 64和IA-32体系结构优化参考手册》中，“ 3.6.10写合并”部分以以下说明（加了重点）开头：

写合并（WC）通过两种方式提高性能：

•在对第一级缓存的写入未命中时，它允许在从缓存/内存层次结构的更深层读取所有权（RFO）之前对该同一个缓存行进行多个存储。然后读取剩余的行，将尚未写入的字节与返回行中的未修改字节合并。

•写合并允许将多个写组合在一起，并作为一个单元在高速缓存层次结构中进一步写出。这样可以节省端口和总线流量。节省流量对于避免部分写入未缓存的内存特别重要。

有六个写合并缓冲区（在奔腾4和Intel Xeon处理器上，CPUID签名的族编码为15，模型编码为3；有8个写合并缓冲区）。这些缓冲区中的两个可以写出更高的缓存级别，并释放出来以供其他写未命中。保证只有四个写合并缓冲区可同时使用。写合并适用于存储器类型WC；它不适用于内存类型UC。

Intel Core Duo和Intel Core Solo处理器的每个处理器内核中都有六个写合并缓冲区。基于英特尔酷睿微体系结构的处理器在每个内核中都有八个写合并缓冲区。从英特尔微体系结构代码名称Nehalem开始，有10个缓冲区可用于写合并。

写合并缓冲区用于所有存储器类型的存储。它们对于写入未缓存的内存特别重要...

我的问题是，在使用普通存储区（非临时存储区以外的其他存储区，即您所使用的存储区）时，写合并是否适用于WB内存区域（即您在用户程序中使用99.99％的时间的“普通”内存）正在使用99.99％的时间）。

上面的文字很难准确解释，因为自Core Duo时代以来没有更新过。您有说写梳理的部分“适用于WC存储器，但不适用于UC”，但是当然不包括所有其他类型，例如WB。后来，您发现“ [WC对于写入未缓存的内存特别重要”，这似乎与“不适用于UC部分”相矛盾。

那么，现代英特尔芯片上用于正常存储到WB存储器的写合并缓冲区是否有效？