内存超频时序怎么调_超频讲解：内存时序设置一

12超频讲解&＃xff1a;内存时序设置一

◆超频讲解&＃xff1a;内存时序设置说明一

华硕RAMPAGE II EXTREME内存参数设置页

DRAM CAS Latency(tCL)&＃xff1a;内存CAS Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”&＃xff0c;该参数设置对内存带宽影响较大&＃xff0c;数值越小内存性能越高&＃xff0c;反之越低&＃xff0c;内存运行频率越高该参数通常需要设置越大&＃xff0c;根据DDR3内存体质不同&＃xff0c;保守设置通常是7-9&＃xff0c;也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。

DRAM RAS to CAS Delay(tRCD)&＃xff1a;行寻址到列寻址延迟时间&＃xff0c;该参数设置也对内存带宽影响较大&＃xff0c;数值越小性能越好&＃xff0c;保守设置通常是7-9。

DRAM RAS PRE Time(tRP)&＃xff1a;内存行地址控制器预充电时间&＃xff0c;该参数设置对内存带宽影响较大&＃xff0c;数值数值越小性能越好&＃xff0c;保守设置通常是7-9&＃xff0c;该数值通常可设置为比DRAM RAS to CAS Delay少1个数值。

DRAM RAS ACT Time(tRAS)&＃xff1a;内存行有效至预充电的最短周期&＃xff0c;该数值对内存带宽有微弱的影响&＃xff0c;保守设置通常为20-24。

DRAM RAS to RAS Delay(tRRD)&＃xff1a;行单元到行单元的延时&＃xff0c;该数值越小越好&＃xff0c;建议设置为5-7。