WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM20303/TR

单N沟道&＃xff0c;20V&＃xff0c;0.95A&＃xff0c;功率MOSFET

说明

WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计&＃xff0c;提供卓越的RDS&＃xff08;ON&＃xff09;
低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换&＃xff0c;电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤

特征

FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻&＃xff0c;可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-723

应用

继电器&＃xff0c;电磁铁&＃xff0c;电机&＃xff0c;LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电