三极管都已有它自己的开关频率特性,这个特性外界改变不了,在管子符合这个电路的频率后,我们只能提高管子的开关瞬时性,即提高开与关的速度,缩短波形上升沿和下降沿的时间,不让管子在开与关转换时进入放大状态
电路图如下
输入电压为1V,100K的方波,参数调制到接近临界饱和,仿真波形如下:
由于三极管的寄生参数,从截至进入饱和需要0.5微秒,退出饱和到截至需要的时间比较小。
截止到导通时间取决于基极电流的大小(充电速度),饱和到截止取决于放电速度,可以通过一个电容来达到目的,原理图如下:
简单的说明一下实现原理,在输入信号上升或下降时,R1被C1旁路掉,并提供低阻抗通路,这时三极管基极的电流就会瞬间很大,截止到导通和饱和到截止时间变短,实现开关速度的加快。
具体导通过程:当输入信号从0到1V时,由于C1两端电压不能突变,到三极管的电压瞬间为VIN,基极电压为一个尖峰脉冲,三极管基极的电流就会瞬间很大,截止到导通时间变短。
具体截止过程:当输入信号从1到0V时,由于C1电压极性为左正右负,基极将受到负方向的电压尖峰,三极管基极的电流就会瞬间很大,饱和到截止时间变短。
仿真波形如下:很明显导通和截止的时间变短了。
总结:增加C1可以提高三极管开关速度,但作用还是很有限,最好的方法还是避免三极管进入深度饱和区,和截止区。